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2018-03-08
今天我們來(lái)淺談一下微電子在我國(guó)的發(fā)展現(xiàn)狀。
中國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)起步于1965年,經(jīng)過(guò)30多年的發(fā)展,現(xiàn)已初步形成了包括設(shè)計(jì)、制造、
封裝業(yè)共同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。芯片生產(chǎn)技術(shù)已達(dá)到8英寸、0.25微米-0.18微米水平。但總體
來(lái)講,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)比較弱小,1999年銷(xiāo)售額僅占*的0.7%,只能滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)
市場(chǎng)需求的16%。要提高我國(guó)微電子技術(shù)的整體水平,我們還需要長(zhǎng)期的艱苦努力。
我國(guó)高校微電子專(zhuān)業(yè)目前所開(kāi)專(zhuān)業(yè)課程包括:半導(dǎo)體物理與器件、集成電路原理與設(shè)計(jì)、近
代物理實(shí)驗(yàn)、固體物理導(dǎo)論、微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)、薄膜材料與薄膜技術(shù)等。
目前中國(guó)微電子存在的主要問(wèn)題有:
1.缺乏高標(biāo)準(zhǔn)和可持續(xù)發(fā)展的長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)劃和措施以及建立微電子產(chǎn)業(yè)群體的目標(biāo)。
2.機(jī)制上不適應(yīng)微電子產(chǎn)業(yè)自身發(fā)展的要求。產(chǎn)業(yè)投資方式單一;投資和其它政策方面的決
策太慢,使發(fā)展滯后;科研和產(chǎn)業(yè)嚴(yán)重脫節(jié),而且科研和開(kāi)發(fā)的投資嚴(yán)重不足。
3.缺乏系統(tǒng)的市場(chǎng)戰(zhàn)略。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)被國(guó)外大公司瓜分。對(duì)于有戰(zhàn)略意義而且量大面廣的如中
央處理器(CPU)和存儲(chǔ)器等關(guān)鍵芯片市場(chǎng)沒(méi)有給予足夠的重視和決心自主研制開(kāi)發(fā)的決心。
整機(jī)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)與芯片廠(chǎng)脫節(jié),產(chǎn)品不能配套生產(chǎn)。
4.政策環(huán)境不適應(yīng)現(xiàn)代化微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。我國(guó)微電子企業(yè)資金有較大一部分是借款,加
之增值稅過(guò)重,使得企業(yè)負(fù)擔(dān)很重。
5.微電子領(lǐng)域人才流失現(xiàn)象嚴(yán)重,缺乏吸引和激勵(lì)人才的有效措施。
建議:制訂加速中國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的目標(biāo)。5年內(nèi)達(dá)到:以多元投資模式建成一定規(guī)模的產(chǎn)
業(yè)群,其中一半以上企業(yè)在技術(shù)、市場(chǎng)和管理上中國(guó)有主導(dǎo)權(quán)。組織和引進(jìn)人才,大力
研發(fā)新一代核心生產(chǎn)工藝技術(shù),積累自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán),使中國(guó)微電子芯片生產(chǎn)制造工藝技術(shù)
達(dá)到與水平只差一代。集成電路產(chǎn)量到2005年由目前的占世界產(chǎn)量的0.6%提高到2%左右
。通過(guò)10年左右的努力,掌握集成電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù),提高國(guó)內(nèi)外*和國(guó)
內(nèi)市場(chǎng)的自給率,占世界產(chǎn)量從2%提高到4%,自給率達(dá)到30%左右;滿(mǎn)足國(guó)防工業(yè)和信息安全
對(duì)集成電路的需求;形成能夠良性循環(huán)的科研、生產(chǎn)體系;產(chǎn)業(yè)與科學(xué)技術(shù)水平與當(dāng)時(shí)的國(guó)
際水平相當(dāng)。
為保證上述目標(biāo)的實(shí)現(xiàn),建議實(shí)施以下9項(xiàng)措施:
1.成立國(guó)家微電子管理委員會(huì):直屬中央,賦予權(quán)利和責(zé)任,實(shí)行一元化的領(lǐng)導(dǎo),用“兩彈
一星”精神,按系統(tǒng)工程思路有機(jī)地制定出科研、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的長(zhǎng)期發(fā)展戰(zhàn)略,管理好微電
子產(chǎn)業(yè)。
2.為實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展,以自主研究和開(kāi)發(fā)0.18微米以下硅集成電路大生產(chǎn)技術(shù)為突破口,逐
步掌握核心技術(shù)。建設(shè)3-5條8英寸以上的硅生產(chǎn)線(xiàn),并掌握其技術(shù)、市場(chǎng)和管理的主導(dǎo)權(quán)。
同時(shí),以多元化模式5年內(nèi)共建成6-10條(含上述“自主”的3-5條)大生產(chǎn)線(xiàn),初步形成產(chǎn)
業(yè)群。建設(shè)產(chǎn)業(yè)群的多元模式可采用政府先導(dǎo)、借貸政策的傾斜、吸引和利用外資、港澳臺(tái)
的資金和鼓勵(lì)引導(dǎo)集體和私營(yíng)等非國(guó)有經(jīng)濟(jì)涉足微電子行業(yè)等措施相結(jié)合。這樣5年內(nèi)國(guó)家需
投入股本金4.5-7.5億美元,貼息3-5億美元。
3.建設(shè)好集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的基礎(chǔ)環(huán)境,給予優(yōu)惠政策,吸引投資,突破重點(diǎn),放活一片。建
立有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的設(shè)計(jì)模塊(IP)庫(kù)和服務(wù)、復(fù)用機(jī)制。組織突破以CPU和存儲(chǔ)器為代表
的集成電路設(shè)計(jì)核心技術(shù)。
4.以快的速度建設(shè)一條砷化鎵器件和集成電路的生產(chǎn)線(xiàn)。發(fā)展射頻(RF)領(lǐng)域的砷化鎵集
成電路目前尚不需要十分苛刻的微細(xì)加工技術(shù),符合中國(guó)的國(guó)情,抓住時(shí)機(jī)建設(shè)一條砷化鎵
民用電路生產(chǎn)線(xiàn),可扭轉(zhuǎn)我國(guó)通訊市場(chǎng)單純依賴(lài)進(jìn)口砷化鎵芯片的局面。該生產(chǎn)線(xiàn)投資約需4
億元人民幣。
5.抓住機(jī)遇研究開(kāi)發(fā)新一代關(guān)鍵的微電子設(shè)備。國(guó)家應(yīng)組織力量以充足的投資,選準(zhǔn)方
向,加強(qiáng)與的合作,開(kāi)展以瞄準(zhǔn)可用于0.1-0.13微米光刻的193納米準(zhǔn)分子激光投影光刻
機(jī)為重點(diǎn)的設(shè)備中的關(guān)鍵技術(shù)研究并達(dá)到實(shí)用化。同時(shí)開(kāi)展電子束和X射線(xiàn)光刻等新一代
光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備的技術(shù)攻關(guān),為占領(lǐng)未來(lái)微電子技術(shù)的制高點(diǎn)做好設(shè)備技術(shù)方面的準(zhǔn)
備。
6.建立微電子研究開(kāi)發(fā)中心。集中國(guó)家有限的人力和財(cái)力,建立獨(dú)立的微電子
研究開(kāi)發(fā)中心。國(guó)家應(yīng)有長(zhǎng)遠(yuǎn)的投資規(guī)劃,并能逐步吸引大企業(yè)入資。把國(guó)內(nèi)有優(yōu)勢(shì)的高校
和研究所力量更好地組織起來(lái),形成一支穩(wěn)定、有效的研發(fā)力量。該中心的任務(wù):密切與產(chǎn)
業(yè)的結(jié)合,開(kāi)發(fā)新一代微電子核心工藝技術(shù)以及市場(chǎng)有大量需求的產(chǎn)品,轉(zhuǎn)移到大生產(chǎn)
線(xiàn)上,并且在開(kāi)發(fā)新一代微電子工藝的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)我國(guó)微電子關(guān)鍵設(shè)備。同時(shí),針對(duì)10年以
后我國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)的需求,開(kāi)展新一代系統(tǒng)芯片中新工藝、新器件和新結(jié)構(gòu)電路的前瞻性、
戰(zhàn)略性研究。該中心定位于:支持高校和研究所進(jìn)行創(chuàng)新性研究,并將成果加以驗(yàn)證、集成
和中試,終發(fā)展成為自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的源泉,并轉(zhuǎn)移到產(chǎn)業(yè)界,從而實(shí)現(xiàn)我國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)的
自主和可持續(xù)發(fā)展。該中心一次性投入約需50億元人民幣,今后每年投入3~5億人民幣,中心
也應(yīng)當(dāng)從企業(yè)和市場(chǎng)中得到部分經(jīng)費(fèi)來(lái)源。
7.實(shí)施“微電子人才培養(yǎng)和引進(jìn)工程”,以大的力度吸引國(guó)外的微電子技術(shù)和管理人
才,尤其是事業(yè)有成的國(guó)外留學(xué)生;制訂出優(yōu)惠政策,扭轉(zhuǎn)微電子人才大量外流的趨勢(shì);近
期內(nèi)應(yīng)訂出計(jì)劃,大量培養(yǎng)出一批微電子工藝開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)和系統(tǒng)應(yīng)用人才。
8.產(chǎn)業(yè)的發(fā)展很大程度上靠機(jī)制創(chuàng)新和各種優(yōu)惠政策,應(yīng)制訂出符合微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)代
企業(yè)的集資機(jī)制和能使其良性發(fā)展的優(yōu)惠稅收及其它政策。
9.從系統(tǒng)工程觀(guān)點(diǎn)出發(fā),制訂微電子市場(chǎng)發(fā)展戰(zhàn)略(包括國(guó)內(nèi)市場(chǎng)和市場(chǎng)的占領(lǐng))。從
政策、技術(shù)和組織諸方面提出并落實(shí)幾點(diǎn)對(duì)策:下決心占領(lǐng)通用芯片市場(chǎng);由國(guó)家組織專(zhuān)項(xiàng)
重點(diǎn)工程,從整機(jī)到自主設(shè)計(jì)芯片,建立起整機(jī)業(yè)與芯片業(yè)的戰(zhàn)略聯(lián)盟;國(guó)家采取非關(guān)稅保
護(hù)措施,努力加大國(guó)產(chǎn)芯片的市場(chǎng)空間。
加快發(fā)展我國(guó)的微電子產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為刻不容緩的大事。政府除了繼續(xù)加大資金的投入外,目
前至關(guān)重要的是如何轉(zhuǎn)換機(jī)制,制訂系統(tǒng)的市場(chǎng)戰(zhàn)略和*的政策,吸引資金和人才。
調(diào)動(dòng)一切積極因素,既大力發(fā)展自主的民族微電子產(chǎn)業(yè),又形成良好的投資環(huán)境吸引外資投
入我國(guó)的微電子產(chǎn)業(yè),盡快形成產(chǎn)業(yè)群;同時(shí)加大對(duì)科學(xué)研究與人才培養(yǎng)的投入,形成植根
于中國(guó)、可持續(xù)發(fā)展的微電子產(chǎn)業(yè)和科學(xué)研究體系,抓住機(jī)遇迎接挑戰(zhàn)。相信在中央的正確
領(lǐng)導(dǎo)下,我國(guó)微電子將在世界微電子市場(chǎng)占有一席之地,為中國(guó)在二十一世紀(jì)的世界強(qiáng)國(guó)地
位奠定基礎(chǔ)。
公司主要供應(yīng)智能型高壓核相儀,自動(dòng)開(kāi)口閃點(diǎn)測(cè)試儀,全自動(dòng)電纜熱補(bǔ)機(jī),60kv直流高壓發(fā)生器,QJ41A電雷管測(cè)試儀,交直流分壓器測(cè)試系統(tǒng),全自動(dòng)變壓器變比測(cè)量?jī)x,無(wú)間隙氧化鋅避雷器測(cè)試儀,智能變壓器直流電阻測(cè)試儀等產(chǎn)品
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